近日，全球领先的半导体品牌英飞凌科技股份公司（Infineon）宣布为麦田能源提供CoolSiC MOSFET 1200 V、IGBT7 H7 1200 V等功率半导体器件，共同提升储能应用效率，推动绿色能源发展。
截图来自：英飞凌官网
强强联合
近年来，全球光储系统（PV-ES）市场高速增长，竞争加速，而提高功率密度则成为制胜的关键，尤其是储能应用如何提升效率，提高功率密度备受关注。为了提升储能应用效率和功率密度，麦田能源H3 Pro系列储能逆变器与R系列工商业并网逆变器分别使用了英飞凌 CoolSiC MOSFET 1200 V与IGBT7 H7 1200 V功率半导体器件。
H3 Rro系列储能逆变器
英飞凌 CoolSiC MOSFET 1200 V，凭借其高功率密度的优越性能，CoolSiC MOSFET 1200 V可将损耗降低50%, 在不增加电池尺寸的情况下，额外提供约 2% 的能量，这对高性能、轻量且紧凑的储能方案尤为有益。
R系列工商业并网逆变器
英飞凌TRENCHSTOP IGBT7 H7 650V/1200V产品系列，具有更低损耗，帮助提高逆变器整体效率和功率密度的优势，尤其在大功率变流器项目上，电流处理能力在100A以上的大电流模制封装分立器件可以降低IGBT并联数量，替代IGBT模块方案，进一步提高系统可靠性并降低成本。
在高功率密度元器件的加持下，麦田能源H3 Pro系列储能逆变器与R系列工商业并网逆变器不仅拥有更高的效率，整机效率分别达到了98.1%与98.6%，同时在安全性与可靠性方面也得到了显著的提升。
深度合作
“得益于英飞凌先进器件的支持，麦田能源的产品在可靠性与效率等方面获得了显著提升，这一直是麦田能源成长的重要推动力。英飞凌的技术支持和产品质量不仅增强了我们的竞争力，还拓展了我们在市场上的影响力。我们对未来充满信心，期待进一步加强与英飞凌的合作，共同推动行业发展，为客户创造更大的价值。”麦田能源董事长朱京成表示。
英飞凌科技高级副总裁、工业与基础设施业务大中华区负责人于代辉先生表示：“作为功率半导体领域的行业领导者，我们很荣幸能与麦田能源紧密合作。英飞凌将继续助力光储应用实现更高的功率密度以及更可靠的系统，从而推动低碳化进程。”
关于英飞凌
英飞凌科技股份公司是全球功率系统和物联网领域的半导体领导者。英飞凌以其产品和解决方案推动低碳化和数字化进程。该公司在全球拥有约58,600名员工，在2023财年（截至9月30日）的营收约为163亿欧元。英飞凌在法兰克福证券交易所上市，在美国的OTCQX国际场外交易市场上市。
